10 月 23 日消息，据《韩国经济新闻》今天报道，业内人士透露，三星、SK 海力士等主要供应链已通知客户，将在 2025 年第四季度把 DRAM 和 NAND 闪存的价格上调最多 30%。
花旗银行、摩根士丹利等研究机构已经在近期的半导体业界分析报告中，预估 25Q4 的 DRAM 平均售价上调 25-26%，相较原预测上调超过 10 个百分点，进一步强化了上游价格预期。
业内人士分析道，这波涨价潮的主要支撑因素是 AI 带动的存储需求爆发，谷歌、微软、亚马逊、Meta、OpenAI 等大型公司都试图大举投资 AI 数据中心，而数据中心对高容量、高性能的 DRAM 需求正在急速攀升。
业内预测，2030 年的 HBM 市场规模将达到 1000 亿美元（注：现汇率约合 7095.42 亿元人民币），对比今年的 300-400 亿美元（现汇率约合 2128.63 - 2838.17 亿元人民币）攀升三倍，而明年正式出货的 12 层堆叠 HBM4 单价达到 500 美元，对比当前世代 HBM3E 的 300 美元（现汇率约合 2129 元人民币）涨幅达 60% 以上。
同时业界对 AI 的投资趋势也有转移，将数据训练为主导扩展至推理服务化阶段，这种转变不仅进一步刺激了 HBM 的需求，还带动了 DRAM 的同步增长。